
產品簡介
該設備利用背衍射法探測材料的晶體結構,常用于單晶定向、測定晶體對稱性、表征晶體的成晶質量等
該設備利用背衍射法探測材料的晶體結構,常用于單晶定向、測定晶體對稱性、表征晶體的成晶質量等。支持實時成像和累計曝光兩種工作模式,最長曝光時間達30分鐘,最短可至毫秒??臻g分辨率高、用戶界面直觀。
┃ 設備特點
PSEL軟件定向誤差低至0.05度
多晶硅片二維定向mapping
大批量樣品篩選
超20kg重負荷樣品定位
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